CMP(化学机械抛光)工艺中磨料颗粒的高精度粒径表征随着半导体工业飞速发展,电子器件尺寸缩小,要求晶片表面平整度达到纳米级。CMP工艺作为芯片制造业不可或缺的一个部分,其对于磨料的颗粒粒度表征要求十分重要。CMP过程中使用的磨料颗粒典型尺寸范围是10-200nm,其颗粒表征要求精确地确定纳米级颗粒的尺寸,因此高分辨率纳米粒度分析仪是磨料颗粒表征的完美解决方案。磨料对CMP工艺起着至关重要的作用!欢迎选用CPS纳米粒度分析仪为您完美解决磨料颗粒问题!驰光机电产品适用范围广,产品规格齐全,欢迎咨询。青海纳米粒度分析仪厂家
高灵敏度:即使只有1微克样品,CPS也能得到一个准确的粒度分布结果。快速、高精度数模(A/D)转换:可用信号分辨率(即软件操作的数据对象)决定于数模转换(A/D)过程。CPS系统使用的数模转换可以实现在每秒31次取样时保持20位以上的精度,即百万分之一的误差。快速检测头响应:CPS系统的检测头和电路设计允许在95%精度下0.1秒的响应速度,而同类产品的响应时间为1-4秒。这一出众的快速移动峰值检测能力较大地扩展了测量的动态范围,比同类型产品提供高出4倍多的分析速度。河南病毒颗粒分析仪厂家驰光机电科技创新发展,努力拼搏。
因此,需要对其粒径的分布进行测试。而目前对炭黑的粒径测量方法为差速沉淀法。由于常用的炭黑粒径比较均匀,在测试时粒径的分布常呈现正态曲线分布,但在裂解后炭黑中混有橡胶纤维,导致粒径变大,不同粒径炭黑的含量不同,不再呈现均匀的正态分布。造成样品的测试比较困难。美国CPS24000纳米粒度分析仪可以真实反映样品在溶液中的真实粒径分布状态,粒径测试结果的精确度只次于扫描电镜。主要特点如下:所需样品量少,每次只需要0.1ml,这在疫苗研发、化学合成方面具有较大的优势。
驰光机电小编温馨提示:为了准确地测量颗粒直径,EyeTech必须区分在焦点中心的和离开焦点中心的交互作用,因为只有在焦点中心的交互信号才能提供真实的颗粒直径。这个可以采用脉冲形状过滤器可以实现。只有衍生信号窄的脉冲才被认为是在中心的交互信号,然后被加到粒径分布数据中。颗粒互相作用产生光阻:可记录每个颗粒数据,直接测量真实粒径,与光学及其他性质无关,粒径浓度均可检测,无需校正;仪器的光学测量系统(主机)与样品分散系统完全单独的。驰光机电过硬的产品质量、完善的售后服务、认真严格的企业管理,赢得客户的信誉。
而化学机械抛光(Chemical mechanical polishing,CMP)是集成电路芯片的一个关键制程,国内抛光所用关键材料CMP抛光垫,几乎全部依赖进口。CMP典型的抛光浆料都是纳米级发烟硅石(5Vol%,170-230nm)、高纯硅胶(9Vol%,6-80nm)、氧化铈(6Vol%,200-240nm)或氧化铝颗粒,它们的粒度或粒度分布必须小心地进行控制以免在抛光面上产生刮痕。CMP浆料的分散稳定性和保存期也是必须被认真考虑的重要环节。这种纳米浆料的使用浓度一般在(5-30W%),容易聚集。随着贮存时间延长,它的粒度可能增大从而导致损害的产生。驰光机电科技有限公司受行业客户的好评,值得信赖。贵州高精度纳米粒度分析仪价格
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